忆联发布数据中心级SSDUH711a，E3.S形态单盘容量最高15.36

，亿联今天发布了数据中心级NVMe SSD——UH711a和UH711a E3。的表格。该系列产品采用自研控制器和长江存储128L 3D NAND，专为数据中心级业务场景设计。其中UH711a单盘容量高达7.68TB。

据易联介绍，UH711a支持PCIE Gen4接口，可为数据中心级业务场景和工作负载IO模型提供多种场景下的全面性能优化能力，产品顺序读写性能7200/4500 MB/s，随机读写性能1700/230K IOPS。同时，针对互联网典型应用场景，UH711a采用软化架构设计，优化IO路径DB、FSP、HAS、LDPC的硬件资源分配，提高后端NAND粒子的并发效率，保证互联网典型应用场景下磁盘的性能。

据介绍，UH711a通过SR-IOV技术优化了云服务的虚拟机场景。SR-IOV2.0进一步优化了Nand物理层的隔离程度，VF之间的隔离程度更好。随着隔离度的提高，在纯读写和混合场景下分别优化到3%和5%。目前，内存链接SR-IOV的性能和隔离度已经达到业界第一。

该产品采用了全新的K-mean智能聚类算法，提供了更细粒度的数据类型识别，进一步提高了GC的效率，使SSD系统性能提升高达20%。通过将两种数据写入磁盘内部的不同流，降低了磁盘的写放大倍数，提高了整个生命周期的稳态性能，保证了产品在生命周期后期的可靠性。此外，UH711a还支持DIF、NS管理等OCP2.0规范，不仅可以配合系统实现端到端保护，还可以在磁盘中实现独立的端到端保护机制。

此外，亿联表示，依托公司自主密封测试技术，通过启用自密封TLC介质，UH711a可以大大降低介质的应用成本，挖掘介质的原生潜力，在不牺牲性能和可靠性的情况下提供更好的IO性能。

IT之家了解到，亿联也推出了UH711a E3。s形式，长112.75mm，宽76mm，厚7.5mm，单盘容量高达15.36TB，使用新形式后支持NVMe 1.4，产品顺序读写性能高达7200/4400 MB/s，随机读写性能高达1700/240K IOPS。该系列产品将于2023年量产。