三星电子将扩大与Arm合作，计划开发2纳米GAA芯片和开创性AI芯片

全球最大内存芯片制造商三星电子公司表示，将扩大与软银集团旗下英国芯片设计公司Arm的合作，以增强其代工业务的竞争力。

三星电子称，作为合作的一部分，其代工部门将与Arm合作，优化Arm下一代片上系统或三星最新的 Gate-All-Around(GAA)工艺技术的设计资产。这将帮助三星电子的无晶圆厂客户增加获得最先进的GAA工艺的机会，并最大限度地减少下一代产品开发的时间和成本。

GAA是目前业界公认的下一代技术，相比FinFET进一步改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前FinFET工艺的三面结构，所以说GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。

两家公司还计划开发2纳米GAA芯片和开创性AI芯片解决方案，以满足未来数据中心、基础设施和移动计算市场的需求。此次合作基于三星与Arm长期合作的基础，共同推出创新产品。